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商品详情描述
锑（Sb） Antimony
1，物理性质：
原子量：121.760
熔点：630.7 ℃
沸点：1587 ℃
密度：6.697 g /cm3 (25℃ )
莫比硬度：33.5 kg /mm2
淡白色金属，易碎。
2，规格：
化学纯度：
高纯锑：Sb-05 纯度99.999%以上，银，砷，金，铋，镉，铜，铁，镁，锰，镍，铅，硫，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯锑：Sb-06 纯度99.9999%以上，银，砷，金，铋，镉，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm；
超高纯锑：Sb-07 纯度99.99999%以上，银，砷，金，铋，镉，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm。
3，物理性状：粉，块，锭，棒，单晶体。
4，用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, Bi2Sb, GaSb，高纯合金，电子致冷元件材料以及锗，硅单晶的掺杂剂。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或玻璃管真空封装。
1，物理性质：
原子量：121.760
熔点：
沸点：
密度：
莫比硬度：
淡白色金属，易碎。
2，规格：
化学纯度：
高纯锑：Sb-05 纯度99.999%以上，银，砷，金，铋，镉，铜，铁，镁，锰，镍，铅，硫，锌杂质总含量小于10ppm；
超纯锑：Sb-06 纯度99.9999%以上，银，砷，金，铋，镉，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锌杂质总含量小于1ppm；
超高纯锑：Sb-07 纯度99.99999%以上，银，砷，金，铋，镉，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm。
3，物理性状：粉，块，锭，棒，单晶体。
4，用途：
主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InSb, Bi2Sb, GaSb，高纯合金，电子致冷元件材料以及锗，硅单晶的掺杂剂。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或玻璃管真空封装。
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