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两个PN结都导通，一个是正向导通性，另一个是反向导通性质。正向导通的是多子电流，需要0.7V的门电压，另一个导通的是少子反向电流，这个少子的反向电流导通时不仅可以不需要电压，深圳品牌晶体三极管厂家，甚至还可以承受一点微弱的“逆流”电压，你说的那个0.4V就是属于这种性质的电压。

再举个不太恰当的例子，如果把整个三极管比做一个水龙头，发射结的门电压则是控制这个水龙头是否出水的关键，而集电结电压只是水龙头究竟该怎样出水、如何出水的一个条件。发射结加上门电压，深圳晶体三极管哪家质量好，这个水龙头就打开了。此时，如果集电结加反偏电压，这个反偏电压其实正好符合水龙头的出水方向，所以它对出水有定性方面的帮助，只是出水的量则要按严格比例受控于Ib，可大可小，这就是放大状态；如果集电结加零压，则出水量就会失去比例控制，这也就是所谓的饱和状态（其实，这时的出水量并不见得一定会比放大状态时大，很有可能还很小，其大小主要取决于Uce）；如果集电结加上合适的“正偏”电压（此时正偏电压对出水起反作用）。

深圳市天盛微电子有限公司，创建于2008年，是一家专业经营半导体元器件生产及销售为一体的企业。我司长期致力于三极管，二极管系列产品研发，与制造的专业厂商长期合作生产、销售半导体分立器件。

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MOS管开关应用必须设置泄放电阻。MOS管在开关状态工作时；Q1、Q2是轮流导通，MOS管栅极是在反复充电、放电的状态，如果在此时关闭电源，MOS管的栅极就有两种状态；一个状态是；放电状态，栅极等效电容没有电荷存储，一个状态是；充电状态，栅极等效电容正好处于电荷充满状态，虽然电源切断，此时Q1、Q2也都处于断开状态，电荷没有释放的回路，MOS管栅极的电场仍然存在（能保持很长时间），建立导电沟道的条件并没有消失。这样在再次开机瞬间，深圳晶体三极管，由于激励信号还没有建立，而开机瞬间MOS管的漏极电源(VDS)随机提供，在导电沟道的作用下，MOS管即刻产生不受控的巨大漏极电流ID，引起MOS管烧坏。为了避免此现象产生，在MOS管的栅极对源极并接一只泄放电阻R1，关机后栅极存储的电荷通过R1迅速释放，此电阻的阻值不可太大，以保证电荷的迅速释放，一般在5K～数10K左右。

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