溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

解决溅射过程中的微粒飞溅

溅射镀膜的过程中， 致密度较小的溅射靶受轰击时， 由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放， 造成大尺寸的靶材颗粒或微粒飞溅， 或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅。这些微粒的出现会降低薄膜品质。如在VLSI 制作工艺过程中，每150 mm直径硅片所能允许的微粒数必须小于30个。怎样解决溅射靶材在溅射过程中的微粒飞溅也是今后研究与设计靶材的发展方向之一。一般来说， 粉末冶金工艺制备的溅射靶材大都存在致密度低的问题，容易造成微粒飞溅。因此，对熔融铸造法制备的靶材，可采用适当的热加工或热处理来提高其致密度；而对粉末冶金溅射靶材则应提高原料粉末纯度，铁锰合金多少钱，并采用等离子烧结、微波烧结等快速致密化技术，以降低靶材孔隙率。

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溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

靶中毒的解决办法

1、采用中频电源或射频电源。

2、采用闭环控制反应气体的通入量。

3、采用孪生靶

4、控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。

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真空镀膜靶材

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靶中毒的影响因素

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，铁锰合金价格，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。

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