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点接触晶体管

1945年二战结束，Shockley等发明的点接触晶体管成为人类微电子革命的先声。为此，Shockley为Bell递交了第1个晶体管的专利申请。最终还是获得了第1个晶体管专利的授权

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真空三极管1939年2月，Bell实验室有一个伟大的发现，硅p_n结的诞生。1942年，普渡大学Lark_Horovitz领导的课题组中一个名叫Seymour Benzer的学生1，发现锗单晶具有其它半导体所不具有的优异的整流性能。这两个发现满足了美国政府的要求，也为随后晶体管的发明打下了伏笔

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磁敏三极管

磁敏三极管由锗材料或硅材料制成。图是磁敏三极管的结构图。它是在高阻半导体材料i上制成N+-i－N+结构，在发射区的一侧用喷砂等方法破坏一层晶格，形成载流子高复合区r。元件采用平板结构，发射区和集电区设置在它的上、下表面。

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