单晶硅是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。在开发能源方面是一种很有前途的材料。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。、

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光伏电站越建越多，如何降低度电成本一直以来是行业讨论的热点，也已成为电站业主们首要考虑的问题，光伏转换效率是度电成本降低的核心因素。越来越多的电站持有者及光伏电站的业主们将目光转向光伏电站的项目的发电效率和度电成本，这为单晶硅电池组件的强势回转创造了有利的发展环境。

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单晶硅制备与仿1真主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；

区熔法区熔法可用于制备单晶和提纯材料，碎单晶硅片回收，还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体。在区熔法制备硅单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻硅单晶[5]  。区熔单晶炉主要包括：双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴（夹多晶棒）、下轴（安放籽晶）、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。

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