理论原理晶体三极管（以下简称三极管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构方式，但运用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其间，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中参加磷替代一些硅原子，在电压影响下发生自由电子导电，而P是正极的意思是参加硼替代硅，高压贴片三极管，发生很多空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流扩大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中心夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间构成的PN结称为发射结，而集电区与基区构成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

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根本结构根本扩大电路是扩大电路中最根本的结构，是构成杂乱扩大电路的根本单元。它使用双极型半导体三极管输入电流操控输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压操控输出电流的特性，完成信号的扩大。本章根本扩大电路的常识是进一步学习电子技术的重要基础。根本扩大电路一般是指由一个三极管或场效应管组成的扩大电路。从电路的视点来看，能够将根本扩大电路当作一个双端口网络。扩大的效果体现在如下方面：

扩大电路首要使用三极管或场效应管的操控效果扩大弱小信号，输出信号在电压或电流的起伏上得到了扩大，输出信号的能量得到了加强。

输出信号的能量实际上是由直流电源供给的，仅仅通过三极管的操控，使之转换成信号能量，供给给负载。

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截止状况当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流扩大效果，集电极和发射极之间相当于开关的断开状况，我们称三极管处于截止状况。扩大状况当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着操控效果，使三极管具有电流扩大效果，三极管，其电流扩大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处扩大状况。

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