TVS管与ESD保护二极管的区别 TVS瞬态电压抑制  

这里不论TV是如何产生的，比如直接或者间接的雷击，静电放电，大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.  ESD静电放电保护  

这里的ES主要是三种模型所表述.  

其中主要应用是HBM 和 MM，简单说，就是人或者设备对器件放电(静电)，但是器件不能损坏.  典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.  

MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF，电压大概在200-400之间，不过没有串联电阻了.  

典型的人体模型放电，峰值电流小于0.75A，时间150ns  典型的机器模型放电，tvs二极管，峰值电流小于8A，时间5ns

TVS二极管应用于集成电路保护

集成电路的保护

　　由于现代IC的集成度越来越高，而其耐压则越来越低，因而很容易受到瞬变电压的冲击而损坏，故须采取保护措施。通常在CMOS电路的输入端及输出端都有保护网络，tvs二极管生产商，为了可靠起见，在各整机对外接口处也增加了各种保护网络。图5中给出了用TVS二极管对CMOS器件进行保护的有关电路措施。

　　TVS二极管在电路设计应用TOP7 ——电路图天天读（133）图5 TVS二极管集成电路保护实例　　TVS二极管应用于集成电路运放保护

　　集成运放对外界电应力非常敏感，图6所示是用TVS在运放差模输入端防止过压损伤的保护电路。

　　TVS二极管在电路设计应用TOP7 ——电路图天天读（133）

大反向脉冲峰值电流IPP

　　TVS 反向工作时，在规定的脉冲条件下，TVS 允许通过的大峰值脉冲电流称为大反向脉冲峰值电流，峰值脉冲电流IPP应大于电路瞬态浪涌电流。

　　2.4 大钳位电压VC

　　当脉冲峰值电流IPP流过TVS时，tvs二极管供应商，其两极的大峰值电压为大钳位电压。VC为TVS的电压保护水平，是选用TVS 十分关键的参数，应小于被保护电路耐压水平UW，否则TVS 将失去保护作用。TVS 钳位系数等于VC VBR ，钳位系数取值一般在1.2~1.4范围内。

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