ASEMI-100N10/90N10_MOSFET管参数

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ASEMI-100N10/90N10_MOSFET管参数

MOS管主要参数如下：

1. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

2.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，场效应管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

3. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：

（1）漏极左近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿-有些MOS管中，其沟道长度较短，10N60场效应管，不时增加VDS会使漏区的耗尽层不时扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，抵达漏区，8N80场效应管，产生大的ID。

4. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。

5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内。

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6N60_mos管ASEMI供应厂商

FEATURE

6A，600V，R DS(ON) =1.2Ω@V GS =10V/3A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

 avalanche tested

Improved dv/dt capability

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

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MOS管一般又叫场效应bai管，与二极管和三du极管不同，二极zhi管只能通过正向电流，反向截止，不dao能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，10N65场效应管，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

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