电容

电容器的好坏测量

a;脱离线路时检测

采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，hao应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。

b.线路上直接检测

主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由于受外电路的影响一般是测不准的。用万用表Ｒ×１挡，电路断开后，先放掉残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，说明电解电容内部断路。如果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转，但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱开电路后进一步检测。

c．线路上通电状态时检测，若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。　对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。

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电容

贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF

无极性电容下述两类封装为常见，即0805、0603;

一般容值越小，耐压值可做到越大，常见耐压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V

有极性电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体如下：

类型 封装形式 耐压

A 3216 10V

B 3528 16V

C 6032 25V

D 7343 35V

常用电容的标识精度级别

B+_0.1%

C+_0.25%

D+_0.5%

F+_1%

G+_2%

J+_%

K+_10%

M+_20%

N+_30%

各种贴片电容的特性

帖片电容的材料常规分为三种，NPO，X7R，X5R，Y5V，钽电容

NPO 此种材质电性能稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路。容量精度在5%左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF 以下，100PF至 1000PF 也能生产但价格较高 。

X7R 此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，耐压高，容量精度在10%左右，电容量一般在100pF～2.2F之间。

Y5V 此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20%左右，贴片陶瓷电容，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。电容量范围较大，一般为1000pF～100F。

X5R容量小，体积小，适用于计算机、电源和汽车电路中退耦、输出滤波等应用。

钽电容 体积小、容量大、漏电流低、使用寿命长、综合性能优异，是you秀的电容器，不仅在常规条件下比陶瓷、铝、薄膜等其它电容器体积小、容量高、功能稳定，1KV贴片电容，而且能在许多为其它电容器所不能胜任的严峻条件下正常工作。广泛用于高频滤波像HI-FI系统。

1、电容的表示

电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C223表示编号为223的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。

电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。

2、识别方法

电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。

其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。

字母表示法：1m=1000uF1P2=1.2PF1n=1000PF

数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。

如：102表示10&TImes;102PF=1000PF224表示22&TImes;104PF=0.22uF

3、电容容量误差及特性

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1uF、误差为±5%。

贴片电容还分NPO、X7R、Z5U和Y5V，主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，电容，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

NPO是一种比较常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

封 装 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，耐高压贴片电容，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有da的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率da可达每10年下降5%。

尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。

封 装 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

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