主要技术指标：

*化学成分：98wt.% ZnO, 2wt.%Al2O3或按用户需要提供；

*纯度：99.9%或99.99%；

*相对密度：≥99.5%；

实测密度≥5.60g/cm3

*靶材电阻率：5×10—4Ω?cm (表面电阻由于机加工等原因会明显高于此值)；

*膜电阻率：采用射频磁控溅射，基片加热温度220℃，在最佳工艺条件下：2.17×10—4Ω?cm；基片加热温度450℃，在最佳工艺条件下：9.06×10—5Ω?cm

*目前能提供的最大尺寸：400mm×200mm×9mm。