供应LT1158ISW#PBF 半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

特点

• 可将上端 MOSFET 的栅极驱动至高于 V+
• 工作电源电压范围从 5V 至 30V
• 150ns 转换时间 (驱动 3000pF 容性负载)
• 峰值驱动器电流超过 500mA
• 自适应非重叠栅极驱动
• 连续电流限制保护功能
• 自动停机和重试能力
• 内部充电泵用于 DC 操作
• 内置栅极电压保护电路
• 与电流检测 MOSFET 兼容
• TTL/CMOS 输入电平
• 故障输出指示