MKP-GTO型缓冲保护电容是专门设计的,特别是削弱GTO(Gate-Turn-Off)场效应管和 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)双极性绝缘效应管使用时遇到的尖峰电压. 电容器制造采用干式技术,采用金属化聚丙烯薄膜和组装在圆形塑料壳内,用阻燃填充料密封.这样结构造就了显著的优点,如:
·极低的电感
·极高的脉冲可靠性
·极高的额定电流承载能力
·卓越的自愈能力
·极高的碰撞和振动抵抗能力
·优越的机械结构稳定能力