化学气相沉积产品概述

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1、适用范围：适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点：应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备，兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。

3、主要用途：主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。

等离子体增强化学气相沉积的主要过程

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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，等离子化学气相沉积设备报价，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：

首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；

其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，等离子化学气相沉积设备，同时发生各反应物之间的次级反应；

然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。

物理气相沉积和化学气相沉积的区别

化学气相沉积过程中有化学反应，等离子化学气相沉积设备价格，多种材料相互反应，生成新的的材料。

物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。

物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。

化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜，又可按要求制造多成分的合金膜，成膜速度快，膜的绕射性好

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