系统特征
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护最大电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 程序保护最大电流/电压,以防损坏
测试系统指标
1.测 试 电 压:
≤2KV
2.测 试 电 流:
≤50A
3.电 压分辨率:
1mV
4.电流 分辨率:
0.1nA
5.测 试 精 度:
0.2%±2LSB
测试范围
1.双向可控硅(TRIAC)
2.MOS场效应管(Power
MOSFET)
3.绝缘栅双极大功率晶体管(IGBT)
4.结型场效应管 (J-FET
)
5.晶体管(Transistor)
6.达林顿阵列(Darliknton)
7.稳压(齐纳)二极管(Zener)
8.二极管(Diode)
9.可控硅整流器(SCR )
10.三端稳压器(REGULATOR )
11.光电耦合器(OPTO-COUPLER)
12.双向触发二极管 (DIAC)
13.固态过压保护器(SOVP)
14.继电器(RELAY)
配置规格:
配置 |
规格/环境 | ||
主极电压 |
1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280(mm) |
电压分辨率 |
1mV | 质 量 | 35kg |
主极电流 |
0.1nA-50A | 工作电压 | 200V-240V |
扩展电流 |
100A | 电源频率 | 47Hz-63Hz |
电流分辨率 |
0.1nA | 工作温度 | 25℃-40℃ |
测试精度 |
0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
测试速度 |
0.5mS/参数 | 系统功耗 | <150w |
测试范围:
01 |
二极管 / DIODE |
02 |
晶体管 / NPN型/PNP型 |
03 |
J型场效应管 / J-FET |
04 |
MOS场效应管 / MOS-FET |
05 |
双向可控硅 / TRIAC |
06 |
可控硅 / SCR |
07 |
绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
08 |
硅触发可控硅 / STS |
09 |
达林顿阵列 / DARLINTON |
10 |
光电耦合 / OPTO-COUPLER |
11 |
继电器 / RELAY |
12 |
稳压、齐纳二极管 / ZENER |
13 |
三端稳压器 / REGULATOR |
14 |
光电开关 / OPTO-SWITCH |
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