高温半导体材料四探针测量系统主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，该系统采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准设计研发，可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。该系统广泛应用于高校科研院所和企业单位半导体薄膜和薄片材料电学性能研究。

技术规格：

◆ 温度范围：RT-600℃

◆ 控温精度：±1℃

◆ 电阻：10^-5~10⁵?

◆ 电阻率：10^-5~10⁵?·cm

◆ 方块电阻：10^-4~10⁶Ω/□

◆ 电导率：10^-5~10⁵?/cm

◆ 针间绝缘电阻：≥1000MΩ

◆ 输入电压：110~220V

◆ 数据传输：4个USB接口

◆ 样品尺寸：薄膜Φ15~30mm，d＜4mm

功能特点:

■ 可以实现常温、高温、真空、气氛条件下测量半导体薄膜材料的电学性能；

■ 可以测量半导体薄膜和薄片材料的方块电阻、电阻率；

■ 可以实现常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能；

■ 可以通过输入样品的面积和厚度，软件自动计算样品的电阻率ρv；

■ 可以分析电阻率ρv与温度T的变化曲线；

■ 集成一体化设计，触摸屏控制和显示，具有卓越的易用性；

■ 可以自动调节施加在样品的测试电压，以防样品击穿；

■ 进口纤维一体开模铸造的高温炉膛，高耐温1100℃，配有超温报警电路；

■ 耐高温四探针夹具，碳化钨探针，99氧化铝陶瓷绝缘；

■ 可以通过USB传输数据，数据格式为Excel格式。