MOSFET/场效应管 SI2310产品介绍：

产品型号：SI2310

产品丝印：2310

产品封装：SOT-23

是否环保：无铅环保

最小小包装：3000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:60V

漏极电流（ID）:3.0A

漏源电流脉冲IDM:10A

栅源电压（VGS）: ±12V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.38W

栅源极开启电压VGS(th):1.0 ~ 2.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

N沟道MOS管的结构及工作原理

N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理

结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。

深圳市浩辉微电子有限公司成立于2008年，是一家专业研发、生产、销售半导体分立器件及IC的高新技术企业。

主营产品有贴片二、三极管，整流桥堆，高、低压MOSFET(场效应管），可控硅，三端稳压IC,电源管理IC等系列产品，广泛应用于开关电源、LED电源、移动电源、电源适配器、各种充电器、网络通讯、仪器仪表、灯饰照明、家电控制板、电动车控制板、游戏机手柄、电动玩具、机顶盒、安防、数码产品、汽车电子产品等众多领域。