3SE DES25-08GD06

3SE DES25-08GD06厂家

厂商 :北京齐昂电子科技有限公司

地址 :北京市 北京市
主营产品 :国产飞腾 innodis电子盘 工业级CF卡 宽温内存条 EP扩展卡 SSD固态硬盘 工业计算机 DOM电子盘
联系电话 :13146512271
商品详情描述

SSD固态硬盘

SSD 固态硬盘为工控系统所使用的标准储存解决方案。我们的SSD产品系列提供了各种不同规格,包含1.8吋、2.5吋及其他。

2.5" SATA SSD 3SE

产品特色
  1. 2.5” SATA III soultion for industrial field
  2. iSMART disk health monitoring
  3. Intelligent error recovery system
  4. Excellent data transfer speed
  5. Enhanced power cycling management


概述: 

        innodisk 2.5” sata ssd 3se 是基于 sata3 的6gb / s 闪存磁盘,具有优异的性能和可靠性,是各种应用的理想解决方案,包括嵌入式系统、工业计算和企业领域。 3se 2.5” ssd 不仅执行好的性能,而且还设计了 innodisk 拥有的技术诀窍,以确保数据完整性和可靠性。




规格:

Model Name 2.5" SATA SSD 3SE
Interface SATA III 6.0 Gb/s
Flash Type SLC
Type 2.5"
Capacity 4GB~256GB
Max. Channels 4
Sequential R/W (MB/sec, max.) 490/430
Max. Power Consumption 3.0 W (5V x 600 mA )
Thermal Sensor ST- Optional / WT- Default
External DRAM Buffer N
H/W Write Protect N
iCell N
ATA Security Y
S.M.A.R.T. Y
Dimension (WxLxH/mm) 69.85 x 99.85 x 9.20
Vibration 20G@7~2000Hz
Shock 1500G@0.5ms
MTBF >3 million hours
Storage Temperature -55°C ~ +95°C
Operation Temperature Standard Grade: 0°C ~ +70°C;
Industrial Grade: -40°C ~ +85°C


产品料号:

Operation Temp. 4GB 8GB 16GB 32GB 64GB 128GB 256GB 512GB
Standard Grade (0°C ~ +70°C) DES25-04GD07AC1DB DES25-08GD06SCCQB DES25-16GD06SCCQB DES25-32GD06SCCQB DES25-64GD06SCCQB DES25-A28D06SCCQB DES25-B56D06SCCQB DES25-C12D06SCCQT
Industrial Grade (-40°C~+85°C) DES25-04GD07AW1DB DES25-08GD06SWCQB DES25-16GD06SWCQB DES25-32GD06SWCQB DES25-64GD06SWCQB DES25-A28D06SWCQB DES25-B56D06SWCQB DES25-C12D06SWCQT
Operation Temp. 4GB 8GB 16GB 32GB 64GB 128GB 256GB 512GB
Standard Grade (0°C ~ +70°C) DES25-04GD07AC1DB DES25-08GD06SCCQB DES25-16GD06SCCQB DES25-32GD06SCCQB DES25-64GD06SCCQB DES25-A28D06SCCQB DES25-B56D06SCCQB DES25-C12D06SCCQT
Industrial Grade (-40°C~+85°C) DES25-04GD07AW1DB DES25-08GD06SWCQB DES25-16GD06SWCQB DES25-32GD06SWCQB DES25-64GD06SWCQB DES25-A28D06SWCQB DES25-B56D06SWCQB DES25-C12D06SWCQT

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1.SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell),因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动,所以其速度表现更好,很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。

2.MLC全称是多层式储存(Multi Level Cell),它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息,这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为固态硬盘中应用为广泛的MLC NAND闪存,特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本,从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过,MLC的缺点也很明显,其写入寿命较短,读写方面的能力也比SLC低,官方给出的可擦写次数仅为1万次,但是一般为3000-10000次.

3.TLC即Triple-Level Cell的缩写,是2bit/cell的MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。 TLC特点:1、存储密度高,容量达到MLC的1.5倍。 2、造成本低,其价格较之MLC闪存降低50%。 3、制造工艺仅次于MLC,高于SLC。 4、使命寿命低,仅有500-1000次,理论上的读写速度慢。



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