硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度. GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度. 某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘磁头镀制GMR磁头导电材料和磁性材料薄膜构. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数 portant;"> 离子蚀刻 Φ4 inch X 12片 portant;"> 基片尺寸 portant;"> Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 portant;"> 均匀性 portant;"> ±5% portant;"> 硅片刻蚀率 portant;"> 20 nm/min portant;"> 样品台 portant;"> 直接冷却,水冷 portant;"> 离子源 portant;"> Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数: portant;"> 离子源型号 portant;"> RFICP 220 portant;"> Discharge portant;"> RFICP 射频 portant;"> 离子束流 portant;"> >800 mA portant;"> 离子动能 portant;"> 100-1200 V portant;"> 栅极直径 portant;"> 20 cm Φ portant;"> 离子束 portant;"> 聚焦, 平行, 散射 portant;"> 流量 portant;"> 10-40 sccm portant;"> 通气 portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 portant;"> 典型压力 portant;"> < 0.5m Torr portant;"> 长度 portant;"> 30 cm portant;"> 直径 portant;"> 41 cm portant;"> 中和器 portant;"> LFN 2000 * 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 : 上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐 T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958 ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw 伯东版权所有, 翻拷必究！