高温门试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度150℃； 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度150℃ 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度80℃ 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温储存试验（HTSL） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度150℃； 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等