? 卧式6寸两管退火炉供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6"硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。 一、设备结构: 1、操作方式:左(右)手操作方式 2、硅片尺寸:圆形6寸片 3、工艺布局:满足客户工艺要求 4、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程 5、送取片方式:手动进出舟。 6、外形:主机1台，主机架为卧式两管。 二、主要技术参数: 1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。 2、工作温度范围:上管:600~1400℃ ? ? ? ? ? 下管:200~500℃ 3、恒温区长度及精度:600mm， ? ? 上管:800-1400℃.±0.2℃/24h ? ? 下管:200-500℃.±0.2℃/24h 4、控制方式:由工控机统一管理工艺 5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。