AZO靶，氧化镁靶、氧化铁靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、靶，硫化钼靶，二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，钨靶，二铝靶，五氧化二钽靶，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、氟化镁靶，靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材。反应磁控溅射制备化合物薄膜的优点：1.所用靶材和反应气体是氧、氮、碳氢化合物等，通常容易获得高纯度制品，有利于制备高纯度的化合物薄膜;2.通过调节工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜。 日本显示公司日前宣布与半导体能源研究所签署了技术开发协议，双方将联合开发用于代显示器（包括OLED显示器）的氧化物半导体背板技术（Ode-semiconductorbackplechnolo）。SEL的背板技术被称为c-轴对齐晶体（CAAC），是其与夏普（Sharp）联合开发的。CAAC是基于具有新型晶体结构的IGZO薄膜。SEL表示，CAAC-IGZO（称之为氧化物半导体CAAC-OS）具有极低的关闭电流，可极大地降低功耗。SEL成功制备了CAAC-OS原型背板，并在过去几年中展示了多种新型CAAC-OSAMOLED，包括可折叠OLED（与诺基亚联合开发），13.3英寸8K（6PPI）AMOLED。81英寸8K平铺柔性OLED，以及混合OLED-反射-液晶原型。 从而可调控膜的特性;3.基板温度不高，对基板限制少;4.适于大面积均匀镀膜，实现工业化生产。据统计，存储市场增速则达到57%，且中国一直长期是集成电路消费大国，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成，成为业界追逐的一大风口，信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、J DM、ODM为主。如二极管就是采用半导体制作的器件，缺“芯”已经称为中国制造的一块“芯”。计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。ITO片采用新型液态金属印刷技术制成，厚度仅为1.5nm，可以沉积在各种基材上，然后可以像管一样卷起来。