据UVTM公司负责人介绍，ITO导电膜面临其他光电薄膜的替代风险。导电膜：即氟掺杂氧化锡导电膜。ITO导电膜属于挂式电容屏技术。以新型显示应用相关的人工智能(AI)、现实(VR)、增强现实(AR)、物联网、大数据等新兴产业为，将超高清显示应用场景作为大数据融合应用的重要发力点。ITO究竟是什么？ITO是IndiumTinOdes的缩写，即掺锡氧化铟。是透明导电氧化物TCOs的一种，由于良好的导电性和透明性的组合性能，成为主要的透明导电材料。 靶材的主要性能要求纯度纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”,8“发展到12”,而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。杂质含量靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。密度为了减少靶材固体中的气孔。 AZO靶，氧化镁靶、氧化铁靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、靶，硫化钼靶，二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，钨靶，二铝靶，五氧化二钽靶，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、氟化镁靶，靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材。反应磁控溅射制备化合物薄膜的优点：1.所用靶材和反应气体是氧、氮、碳氢化合物等，通常容易获得高纯度制品，有利于制备高纯度的化合物薄膜;2.通过调节工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜。