[CS712-0157-0001] 集成电路及其制造方法
[摘要] 在分配给双极型晶体管的第一有源区和分配给场效应晶体管的第二有源区上制造双ＭＯＳ电路，因为高温热处理破坏了场效应晶体管的源／漏区的杂质面，在所述双极型晶体管形成后制造场效应晶体管，为隔开发射区和发射极，在淀积一厚硅氧化物层前用阻蚀层覆盖部分场氧化物层，即使从第二有源区之间的场氧化物层去除厚硅氧化物层，阻蚀层防止场氧化物层接触蚀刻剂，并且场氧化物层保持原始厚度，由此不让寄生ＭＯＳ晶体管导通。
  [CS712-0043-0002] 在不锈钢管上形成蚀刻图案的方法
[摘要] 本发明公开了一种利用蚀刻技术在不锈钢管表面刻出各种图案的方法。（ａ）用耐酸油墨印刷不锈钢管表面；（ｂ）在干燥室中对不锈钢管干燥预定时间；（ｃ）用电技术在盛酸的侵蚀槽中通过侵蚀没有涂耐酸油墨的不锈钢管剩余表面部分来蚀刻不锈钢管表面。本发明制造的刻有蚀刻图案的不锈钢管的优点是线雕刻部分均匀、平滑和有光泽，它使以简单生产工艺和低生成成本大量生产刻有精细蚀刻图杂的不锈钢管成为可能。
  [CS712-0177-0003] 除去和/或施加导电材料的方法和装置
 
我们熟知的化学蚀刻印刷电路板通过为铜板提供掩模，并化学蚀刻掉那些无掩模的部位制成的。缺点例如有，从环保立场看，由于化学液富含铜，用过的液体不能再用，而且难以处理。本发明提供一种施加或除去导电材料的方法。从其上设置有覆盖导体结构的蚀刻掩模的印刷电路板除去导电材料的本发明方法的特征是，包括以下步骤：（a）印刷电路板和电极一起放入电解液中，（b）不同电位的电压加到印刷电路板和电极上，以及（c）从印刷电路板除去导电材料。
  [CS712-0085-0004] 接触窗及接触窗蚀刻方法
[摘要] 本发明涉及一种用于集成电路元件的接触窗蚀刻方法，包含下列三步骤：ａ）非等向蚀刻，形成第一蚀刻深度；ｂ）等向蚀刻，形成第二蚀刻深度；ｃ）非等向蚀刻，形成第三蚀刻深度；其中，上述第三蚀刻深度与由上述第一、第二及第三蚀刻深度所形成的总蚀刻深度的比值小于０．５。由此形成的接触窗具有较佳的金属铝阶梯覆盖率，使得电连接可靠，且不会增大成本。
  [CS712-0122-0005] 显示装置
[摘要] 在液晶显示装置等显示装置内，为了使电极及配线等低电阻连接，在由多晶硅膜形成的漏区（５）和铝膜形成的漏电极（９）之间设置为防止硅扩散用的六方晶系的第１氮化钛膜（１４）。在由ＩＴＯ膜形成的透明显示电极（１２）和由铝膜形成的漏电极（９）之间，为了使它们欧姆连接而设置六方晶系的第２氮化钛膜（１５），它能由与钛膜（１３）或第１钛膜（１４）相同的靶溅射形成。因为第２氮化钛膜（１５）对用于氧化硅膜的蚀刻液和对用于ＩＴＯ膜蚀刻液有抗蚀性，所以在对它们蚀刻时能够保护漏电极（９）。
  [CS712-0044-0006] 免蒸镀的硬式带式自动焊接封装方法
[摘要] 一种免蒸镀的硬式ＴＡＢ封装方法，主要是以一覆盖溶剂型干膜、覆盖水溶性干膜／半蚀刻、选择性镀镍金、去除溶剂型干膜／镀镍金、去除水溶性干膜／压合绝缘膜／蚀刻绝缘膜、补胶／镀锡球、蚀铜片／剥镍、除胶／加硬板、植芯片、灌胶等步骤组成，其中，通过对底部支撑铜片进行半蚀刻与选择性镀镍金的步骤后，即形成供芯片连结的电镀凸点，可改善传统溅镀形成凸点的作业缓慢问题，以形成一种新型态的硬式ＴＡＢ封装方法。
  [CS712-0069-0007] 核径迹防伪膜的制造方法
[摘要] 本发明涉及一种核径迹防伪膜的制造方法，该方法是首先利用核反应产生的裂变碎片或重离子加速器产生的重离子辐照塑料薄膜，然后用热光源局部照射或加热烫印模板局部加热经辐照的塑料薄膜，最后用化学试剂对塑料薄膜进行选择性部分蚀刻，洗涤晾干即为核径迹防伪膜。利用本发明的方法制备的防伪膜所得图形精细、清晰，而且制造设备简单，成品率高，易于实现规模化生产。
  [CS712-0016-0008] 半导体装置之金属布线制造方法
[摘要] 半导体装置之金属布线的制造方法被提供而且包括步骤：沉积一层障碍物金属层于绝缘薄膜之上，而且经过ＳＦ６等离子体处理；依序形成一层铝金属层、一层防止反射层以及光致抗蚀剂薄膜图案于该障碍物金属层的表面之上，以该图案当作蚀刻掩模蚀刻该防止反射层、该铝金属层以及该障碍物金属层而形成金属布线；并且去除该光致抗蚀剂薄膜图案，当硅球状体在铝金属层被沉积于其上时只生长一点点于该障碍物金属层之上的时候，该ＳＦ６等离子体处理在蚀刻期间不会留下任何残馀物于该绝缘薄膜之上。
  [CS712-0023-0009] 一种具有高阶梯之对准标记的制造方法
[摘要] 一种集成电路之对准标记的制造方法，包括在Ｐ型硅半导体基板上形成氧化硅垫层和氮化硅，形成对准标记光阻图案作蚀刻掩模，蚀去氮化硅形成氮化硅层。形成Ｎ井区光阻图案作离子布植掩模，在Ｐ型硅半导体基板形成Ｎ掺杂区域再去除该图案。形成Ｐ井区光阻图案作离子布植掩模，在Ｐ型硅半导体基板形成Ｐ掺杂区域再去除该图案。进行井区驱入形成Ｎ井区和Ｐ井区，去除热二氧化硅形成凹陷，形成一个对准标记。
  [CS712-0192-0010] 汽车玻璃防盗标识蚀刻剂
[摘要] 本发明涉及一种用于汽车玻璃防盗标识的蚀刻剂，其特征在于它由草酸、氟化铵、硫酸钡、甘油、无水氯化钙、苯磺酸钠、石蜡、染料和水为原料制成的膏剂，它具有蚀刻速度快，用量小，成本低，蚀刻标识清晰美观，不影响视线，永不磨损，不易破坏，识别犯罪证据准确，为公安部门或部队车辆管理提供了可靠防盗标识。
  [CS712-0109-0011] 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
  [CS712-0142-0012] 半导体器件制造方法
  [CS712-0038-0013] 一种等离子体蚀刻装置及其方法
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  [CS712-0097-0016] 薄膜涂覆装置和方法以及生产液晶显示器的方法
 
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