[CN8318-0034-0001] CO2激光器五混合气体压强参数
[摘要] 本发明涉及CO2激光器的内部充气参数，主要适用于1.2米长谐振腔、放电电压恒为15KV的封离型激光器。在不改变激光器结构参数和不增加生产成本的情况下，激光输出功率可比现有充气参数时提高1.27倍。并具有生产控制简单可靠，产品性能稳定，一致性好等特点。
[CN8318-0111-0002] 光学参量啁啾脉冲放大激光系统
[摘要] 一种光学参量啁啾脉冲放大激光系统，由飞秒激光振荡器、光栅对脉冲展宽器、光栅对脉冲压缩器、分束器、第一级OPA放大器、后级OPA放大器、泵浦源系统前级放大器、第一倍频晶体、二色性分光板、泵浦源系统主放大链、第二倍频晶体和二色性反射器构成，本发明的特点是信号光和泵浦光源自同一激光振荡器，信号光脉冲与泵浦光脉冲可以实现精确的时间同步，并降低了时间抖动，而且无需外加对准光源，即可对各光学参量放大级的信号光与泵浦光进行对准和同步调节，而且调整简捷、方便和准确。
[CN8318-0180-0003] 半导体激光器
 
一种半导体激光器，该激光器在p-包层与n-包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p-包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n-包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p-包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。
[CN8318-0046-0004] 一种用于半导体激光器的稳流源
[摘要] 本发明公开了一种用于半导体激光器的稳流源。该稳流源可向半导体激光器输出稳定、可靠、抗干扰能力强、连续可调的电流。当外部突然停电时，仍可缓慢地向负载放电1-2秒，避免了半导体激光器因突然停电而损坏，并可方便地实现电流源极性的转换。可提供的电流为0-200毫安，其精度优于0.1％。
[CN8318-0022-0005] 半导体激光器列阵的组装设备
[摘要] 本发明适用于半导体激光器列阵的组装和烧结。包括炉体、温控系统、摄像系统、显微镜、电源，这种炉子集组装、烧结、观测为一体。解决了组装过程中的管芯对准问题，并能精确控温及迅速降温。组装好激光器列阵后，不用把激光器移动而进行烧结。本发明使用角度可调的支撑台面，确保不同大小列阵组装的自对准。支柱的支撑孔高度不同，可使支撑板向一端倾斜，活动杆的调节孔的高度也不同，支架使支撑板向一端倾斜，下电极和管芯会由于重力下滑而贴在挡板上自动对齐管芯，本发明温度可以控制，用高度抛光的支撑板作台面和高度抛光的挡板，所以不会对管芯有任何损坏。可以在气体的保护下进行激光器列阵的烧结，可以在监视系统监视下进行组装。
[CN8318-0192-0006] 分布反馈半导体激光器与电吸收调制器集成光源及制法
[摘要] 分布反馈半导体激光器与电吸收调制器集成光源及制法，属于光电子器件技术领域，其特征在于：所述的DFB激光器采用由周期性排列的有源层材料形成的光栅结构，所述的集成光源的有源层材料采用一次外延生长实现的量子阱结构。本发明还包括上述集成光源的制作工艺，其特征在于：所述的集成光源的有源层可以在一次外延过程中生长完毕，可以通过提高有源层量子阱个数来提高所述的EA调制器的调制速率，并通过刻蚀有源层材料实现所述的DFB激光器中的光栅。本发明综合考虑了DFB激光器和EA调制器性能优化的趋势，同时优化集成光源中两个器件的性能，并且制作工艺简单。在高速光纤通信系统中具有广泛的应用前景。
[CN8318-0149-0007] 基于三量子点耦合系统产生太赫兹激光的方法
[摘要] 基于三量子点耦合系统产生太赫兹激光的方法属于半导体激光器应用技术领域。步骤如下：调节一个三量子点耦合系统内的耦合条件，获得激子基态能级；再调节另一个三量子点耦合系统内部耦合条件，使两个三量子点耦合系统激子分立基态能级的差值属于太赫兹远红外波段范围，满足要求得到远红外激发光光子能量；将两个三量子点耦合系统用弱耦合层隔离，调节耦合距离，获得起振条件；将用弱耦合层隔离的两个三量子点耦合系统的两个端面抛光形成光学共振腔，完成太赫兹远红外激光器结构设计；选择不同材料的三量子点耦合系统，经过以上步骤就能得到太赫兹远红外激光。本发明在工艺技术成熟的条件下，具有原理新颖简单、设计灵活方便、实用性强的特点。
[CN8318-0186-0008] 半导体光装置
[摘要] 提供具有在制造、安装工序中防止波导区损伤的结构的半导体光装置。脊形波导型的半导体光装置，包括被1对台面沟夹着的波导区、台面沟的外方的第1安装区以及第2安装区、设在第1安装区的第1隔离层以及设在第2安装区的第2隔离层、与波导区的上部覆层电连接、从波导区的上部延伸到第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层，从半导体衬底的背面到第1安装区的第1金属层的上端的高度以及从半导体衬底的背面到第2安装区的第2金属层的上端的高度，均比从半导体衬底的背面到波导区的第1金属层的上端的高度高。
[CN8318-0188-0009] 表面发射半导体激光器及其制造方法
[摘要] 表面发射半导体激光器包括：衬底；具有设置在衬底上并在其顶表面上具有接触区的第一柱体结构的激光器部分；以及具有设置在衬底上的第二柱体结构的电极部分。电极部分包括与接触区电连接并从其中延伸的导电层。
[CN8318-0179-0010] 激光二极管模块、装置和包括相同装置的光学发射器
[摘要] 在激光二极管模块中，激光二极管芯片设置在模块壳体中。加热器加热激光二极管芯片以使至少激光二极管芯片的温度保持恒定。温度检测器检测激光二极管模块的温度。温度控制器根据激光二极管模块的检测温度控制加热器的热值。温度控制器保持激光二极管模块的温度高于包含激光二极管模块的激光二极管装置的工作温度。
[CN8318-0189-0011] 通过双腔增益控制对掺饵光纤放大器进行增益控制和整形
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