该设备具有靶磁控溅射功能，标配2只4inch磁控靶，预留1对蒸发电极，能够溅射蒸发两用；溅射靶采用波纹管结构，方便调整角度；溅射靶中频电源溅射取代传统直流溅射，改善靶的电弧放电现象。该设备主要用来开发纳米级单层及多层的导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性材料等，基片台加负偏压可实现基片反溅清洗功能。