二氧化硅SiO2的反应离子束溅射沉

二氧化硅SiO2的反应离子束溅射沉厂家

厂商 :北京松信宏泽科技有限公司

地址 :北京
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二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)技术

  • Ionfab 300Plus
  • Optofab3000
  • 注释
 
二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)技术
使用 Ionfab300Plus (LC)进行二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)
预清洁:35cm的源可以对最大200mm的衬底进行预清洁
沉积用气体:Ar,O2
最大直径200mm的晶片
   
     

性能参数总结: 
 处理室基本气压a
<3e-7 Torr 
 进样基本气压b
<1e-5 Torr
a. 经12小时80°C的烘烤。
b. 进样泵在3分钟内下降到6E-5Torr。样品装载时间小于5分钟,也就是从进样到处理托盘的进样泵气压下降的时间。
工艺参数
1. 衬底旋转和倾斜的SiO2 沉积 
 参数/工艺
SiO2 沉积
 (尺寸=200mm) 
SiO2
 反应气体
Ar+SiO2
 沉积速率[nm/min]
0.5 to 6.5nm/min
 8晶片的均匀性[±%]1, 2 
< ± 2%
 重复性[±%] 
< ± 3
 应力(压缩)2
< 500MPa
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