厂商：深圳市奥腾立电子科技有限公司

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商品详情描述

FRAM（铁电存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器），在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。

产品列表

串行闪存

I2C接口

与世界标准，I2C BUS完全兼容。利用两个端口，几个时钟（SCL）和串行数据（SDA）控制每个函数。

FRAM铁电存储器选型

Fujitsu FRAM可以直接替换Ramtron的相关型号！常用型号如下：

FRAM铁电存储器I2C接口：

型号	容量	存储格式	电压	最大工作电流		最大读写频率		封装		备注
MB85RC16	16K bits	2Kx 8	2.7V - 3.6V	400mA		400kHz		SOP8		与FM24CL16或FM24CL16B完全兼容与FM24C04可以参考
MB85RC64	64k bits	8k x 8	2.7 V - 3.6 V	400uA		400kHz		SOP8		与FM24CL64、FM24CL64B 或FM24CL64B-GA完全兼容
MB85RC128	64k bits	8k x 8	2.7 V - 3.6 V	400uA		400kHz		SOP8		与FM24V01完全兼容
FRAM铁电存储器串行SPI接口：
MB85RS64	64k bits	8k x 8	3.0 V - 3.6 V	10mA	15Mhz		SOP8		与FM25CL64、FM25CL64-GA、 FM25CL64B或FM25CL64B-GA完全兼容
MB85RS128	64k bits	8k x 8	3.0 V - 3.6 V	10mA	15Mhz		SOP8		与FM25V01完全兼容
MB85RS256	256k bits	32k x 8	3.0 V - 3.6 V	10mA	15Mhz		SOP8		与FM25L256、FM25L256B或 FM25V02完全兼容
FRAM铁电存储器并行接口：
型号	容量	存储格式	电压	最大工作电流	访问时间		封装				备注
MB85R256H	256k bits	32k x 8	2.7 V - 3.6 V	10mA	70ns		SOP/TSOP28				可直接替换FM18L08或FM28V020
MB85R1001	1M bits	128k x 8	3.0 V - 3.6 V	15mA	120ns		TSOP48 / FBGA48				可替换FM20L08或FM28V100
MB85R1002	1M bits	64k x 16	3.0 V - 3.6 V	15mA	120ns		TSOP48 / FBGA48
MB85R2001	2M bits	256k x 8	3.0 V - 3.6 V	15mA	120ns		TSOP48
MB85R2002	2M bits	128k x 16	3.0 V - 3.6 V	15mA	120ns		TSOP48				可替换FM21L16
FRAM内置RFID 的FRAM：
型号	容量	Data Rate	RF Interface	Range			封装
MB89R119	256Bytes	26.45 kbps	ISO/IEC15693	35cm ~55cm			Wafer
MB89R119B	2KBytes	26.45 kbps	ISO/IEC15693	35cm ~55cm			Wafer
MB89R118	2KBytes	26.45 kbps	ISO/IEC15693	35cm ~55cm			Wafer

公司：深圳市奥腾立电子科技有限公司

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