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商品详情描述
多晶锑化铟（InSb）
1，物理性质：
原子量：236.578
立方晶系闪锌矿结构，金属光泽。
熔点：525 ℃
禁带宽度：0.17 eV
密度：5.78 g/cm3
迁移率大
2，规格：
化学纯度：
高纯锑化铟：InSb-05 纯度99.999%以上，银，砷，镉，铜，铁，镁，镍，铝，锌杂质总含量小于10ppm。
3，物理性状：块，粉。
4，用途：
主要用于制作InSb单晶，其单晶应用于红外探测器件，霍耳器件，磁阻器件衬底，为大气透射窗口3-5mm波段的成像器件，电荷注入器件，多元素两维列阵。光，电，磁，力的传感器材料。
5，包装：聚乙烯瓶封装。
1，物理性质：
原子量：236.578
立方晶系闪锌矿结构，金属光泽。
熔点：525 ℃
禁带宽度：0.17 eV
密度：5.78 g/cm3
迁移率大
2，规格：
化学纯度：
高纯锑化铟：InSb-05 纯度99.999%以上，银，砷，镉，铜，铁，镁，镍，铝，锌杂质总含量小于10ppm。
3，物理性状：块，粉。
4，用途：
主要用于制作InSb单晶，其单晶应用于红外探测器件，霍耳器件，磁阻器件衬底，为大气透射窗口3-5mm波段的成像器件，电荷注入器件，多元素两维列阵。光，电，磁，力的传感器材料。
5，包装：聚乙烯瓶封装。
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