众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，mosfet使用注意事项，其两大结构特点:第1，mosfet工作原理，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，本溪mosfet，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，mosfet 场效应管，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

极限参数

①z大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，

②z大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子z高工作温度的限制，

③z大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，

④z大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。

漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

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