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摘要 : ASEMI半导体肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短等优点。一般情况下，小于10ns就是很好的肖特基二极管了，举个例子...

ASEMI半导体品牌主营整流桥和肖特基二极管将近12年，对肖特基二极管的属性特性以及应用注意事项，肖特基，已经是熟记在心的程度，今天就拿出来和大家一起分享一下，关于肖特基二极管的特性以及应用注意事项。

肖特基二极管是一款特殊的二极管，它和普通的二极管最不同的地方就在于PN结，普通的二极管基本上都是属于PN结二极管，也是大家耳熟能详的二极管。而肖特基二极管是使用了N型半导体材料以及金属结合在一起，形成了金属—半导体结。

自1938年，德国科学家肖特基发明了这种二极管并命名为肖特基二极管之后，这种特殊的二极管就迅速传遍了大江南北，成为大家的炙手宝物。

ASEMI半导体肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短等优点。一般情况下，小于10ns就是很好的肖特基二极管了，举个例子，ASEMI半导体的肖特基二极管MBR10100CT的恢复时间是小于5ns的，这就说明，性能已经属于非常好的状态了。

ASEMI半导体肖特基产品的优点特性：

1.肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。

2.由于反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。

3.能耐受高浪涌电流。

4.以前的肖特基管反向耐压一般在200V以下，但现在技术可以做到高达1000V的产品，市场应用前景十分广阔。

5.目前市场上常见的肖特基管结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效)。

选择ASEMI半导体肖特基产品应用时需要注意：

1.应小于肖特基二极管的正向额定电流IF.

2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的反向击穿电压Vrrm.

3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的结温Tjmax.

4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基整流二极管，肖特基二极管应降额使用。

5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。

6.肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。

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摘要 : 肖特基10V45，充电器专用，ASEMI制造，更低压降，更好提升效率！10V45广泛应用于各大品牌手机充电器当中，作后端高频整流输出，它本身有什么特点呢？

ASEMI肖特基二极管10V45，手机充电器较好的品牌，ASEMI半导体采用第三代芯片制造工艺，所产芯片性能稳定，可靠性高，目前ASEMI半导体拥有国际上先进的半导体生产工艺和台湾健鼎一体化自动测试设备，产品合格率达99%。本节我们将10V45与传统上普通的MBR1045CT对比，让你对这一款产品有更深入的了解。

上图为ASEMI肖特基10V45与普通MBR1045CT的产品图，因10V45体积较小，故上图并非是实际尺寸，而下图所示为10V45与MBR1045CT的产品实物尺寸图，

图中可以出，MBR1045CT其尺寸远远比10V45要大得多，而在实际的工业应用当中，空间的利用率一直是产品设计所需要解决的重要问题，要解决这个问题，肖特基二极管测量视频，除了更合理的设计电路布局，元件本身尺寸的大小也会在很大程度上对电路设计产生制约，肖特基快恢复二极管，而10V45这一款产品，大大节约了空间使用成本。

为了更直观的认识10V45与MBR1045CT，我们做了实物对比图，如下：

最后，也是我们所要讲解的最重要一点，10V45的电性参数优势，10V45相比于普通的MBR1045CT，其压降只有0.4V左右，在电路当中，肖特基二极管作用为后端高频整流输出，其本身又属于半导体，在实际应用当中损耗非常大，这是电路设计中，我们所不希望的，而10V45在原来普通二极管的基础之上，其损耗降低可达20%，大大提高了输出转化效率，同时，10V45已各个通过安规认证，并达到出口欧美6级能效标准。

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