品质mos管

品质mos管厂家

厂商 :鼎芯实业(深圳)有限公司

地址 :广东 深圳
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联系电话 :13632557728
商品详情描述

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MOS管一bai般又叫场效应管,与二极管du和三极管不同,二极管只能通过正zhi向电流,反向截止,不能控dao制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的。

ASEMI-7N65_mos管

产品:7N65

品牌:ASEMI

电流:7A

电压:650V

产品描述:MOS管又称场效应管,即在集成电路中绝缘性场效应管。


7A,650V,R DS(ON) =1.4Ω@V GS =10V/3.5A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

avalanche tested

Improved dv/dt capability












90N10/100N10-MOS开关管ASEMI品质MOSFET管

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90N10/100N10-MOS开关管ASEMI品质MOSFET管

损失不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。往常的小功率MOS管导通电阻普通在几十毫欧左右,几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时分,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个降落的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大,构成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。mos管








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同步整流管和整流二极管

同步整流管SR及整流二极管构成的半波整流电路如图1(b)所示。当SR的门极驱动电压ug,与正弦波电源电压仍同步变化时,10N65品质mos管,则负载R上得到的是与二极管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fR。

同步整流管的源一漏极之间有寄生的体二极管,还有输出结电容(未画出),驱动信号加在门极和源极(G-S)之间,是一种可控的开关器件。皿关断时,电流仍然可以由体二极管流通。不过m体二极管的正向导通压降和反向恢复时间都比SBD大得多,12N65品质mos管,因此,一旦电流流过SR的体二极管,则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的,因此必须要有符合一定时序关系的门极驱动信号去控制它,品质mos管,使其像一个二极管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大,因此,门极驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如,SR开通过早或关断过晚,8N60品质mos管,都可能造成短路,而开通过晚或关断过早又可能使SR的体二极管导通,使整流损耗和器件应力增大。






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