ASEMI-90N10/100N10-MOS管导通特性

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ASEMI-90N10/100N10-MOS管导通特性

导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（驱动）。但是，固然PMOS可以很便当地用作驱动，但由于导通电阻大，交流种类少等缘由，在驱动中，通常还是运用NMOS。

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4N65_场效应管ASEMI品质MOS管

4A，650V，R DS(ON) =2.2Ω@V GS =10V/2A

 Low gate charge

 Low C iss

 Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。

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MOS管一般又叫场效应bai管，与二极管和三du极管不同，7N65开关电流MOS管，二极zhi管只能通过正向电流，反向截止，不dao能控制，6N65开关电流MOS管，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，开关电流MOS管，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，8N60开关电流MOS管，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

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