现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，封装用IGBT测试仪加工，带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..7测试夹具
1、控制方式：气动控制
2、控温范围：室温—150℃室温—125℃±1。..等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

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