富士通铁电存储器

富士通铁电存储器厂家

厂商 :上海泽兆电子科技有限公司

地址 :广东 深圳市
主营产品 :上海华大代理商 上海英飞凌代理商 富士通一级代理 技领一级代理 HC32L130 HC32F005C6 HC32F030 HC32L110
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商品详情描述

Fujitsu铁电在FRAM产品行业一直居于高端领导行业前端,分别是以SOP/SON等封装产品形式提供独立存储器和FRAM内置的RFID用于LSI,最近富士通开发了并行接口4Mbit FRAM存储器,现已开始量产,该产品采用了与通用SRAM兼容的44引脚TSOP封装,适用于需要高速记录数据的计量仪器,医疗器械、用FRAM替代SRAM后可以省去后备电池,有利于大幅缩小PCB面积,节能环保和降低系统成本。


产品系列


串行I2C接口 
型号 容量 电压 最大工作电流 读写频率 擦写次数 掉电数据保存 封装 
MB85RC04V 4K bits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC16 16K bits 2.7 V - 3.6 V 100uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC16V 16Kbits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC64 64K bits 2.7 V - 3.6 V 150uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC64V 64K bits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC128A 128K bits 2.7 V - 3.6 V 150uA 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC256V 256K bits 2.7-5.5V 1MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC512T 512K bits 1.8-3.6V 3.4MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RC1MT 1M bits 1.8-3.6V 3.4MHz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
串行SPI接口 
型号 容量 电压 最大工作电流 读写频率 擦写次数 掉电数据保存 封装 
MB85RS16N 16K bits 2.7 V - 3.6 V 2.4mA 20Mhz 1万亿 10年(+85℃) SOP8 
MB85RS64V 64K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 20Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
MB85RS128B 128K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 25Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
MB85RS256B 256K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 25Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
MB85RS64 64K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 20Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
MB85RS1MT 1M bits 1.8-3.6V 10mA 30Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
MB85RS2MT 2M bits 1.8-3.6V 10mA 25Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
MB85RS512T 512K bits 1.8-3.6V 10mA 30Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
MB85RDP16LX 16K bits 1.65-1.95V 15Mhz 1百亿 10年(+55℃) SOP8 
并行接口 
型号 容量 电压 最大工作电流 访问时间 擦写次数 掉电数据保存 封装 
MB85R256F 256k bits 2.7 V - 3.6 V 10mA 150ns 1百亿 10年(+70℃) SOP/TSOP28 
MB85R1001A 1M bits 3.0 V - 3.6 V 15mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48 
MB85R1002A 1M bits 3.0 V - 3.6 V 15mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48 
MB85R4001A 4M bits 3.0 V - 3.6 V 20mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48 
MB85R4002A 4M bits 3.0 V - 3.6 V 20mA 150ns 1百亿 10年(+55℃) TSOP48 
MB85R4M2T 4M bits 1.8-3.6V 

内置RFID的FRAM 
型号 容量 接口协议 调制方式 掉电数据保存 封装 
MB89R118C 2KB ISO/IEC 15693, 18000-3 ASK 10% /100% 10年(+70℃) 裸片(Wafer) 
MB89R119B 256B ISO/IEC 15693, 18000-3 ASK 10% /100% 10年(+85℃) 裸片(Wafer) 
MB97R803/4 4KB ISO/IEC 18000-6C DSB/SSB/PR-ASK 10年(+85℃) 裸片(Wafer)




FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品,目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
FRAM的优势
与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:
非易失性
即使没有上电,也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)
更高速度写入
像SRAM一样,可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作,无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间: E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力
耐久性:超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗:低于1/400的E2PROM
与SRAM相比
独立的FRAM存储器,因为具有Pseudo-SRAM I/F,因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM,您可以获得的优势如下:
1. 总的成要缩减
采用SRAM,你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且 FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间,而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。
维护自由;无需更换电池
缩小的器件尺寸;可以省去大量的器件
2.环保型产品(减少了环境负担)
用过的电池成为工业废料。在生产过程中,与SRAM相比,FRAM能够降低一半的CO2排放量。FRAM对于环保有益。
无废弃电池
降低工业负荷,实现环保
与E2PROM/闪存相比
与传统的非易失性存储器,如E2PROM和闪存相比,FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E2PROM和闪存还具有更多优势,具体如下:
1. 性能提升
FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此,与E2PROM和闪存相比,FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时,E2PROM和闪存需要高压,因此,消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM,那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
总之,FRAM具有下列优势:
能够在电源中断的瞬间备份数据
能够进行频繁的数据记录
能够保证更长的电池寿命
2. 总的成本缩减
在为每个产品写入出厂参数时,与E2PROM 和闪存相比,FRAM可以缩减写入时间。而且,FRAM可以为您提供一种芯片解决方案,避免采用几个存储器来保存数据,而E2PROM却不能实现。因此,利用FRAM可以降低总成本!
A.当写入出厂参数时,缩短了写入时间
B.减掉了产品上很多的部件









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