铁电存储器 64 K (8 K × 8) 位 I2C MB85RC64PNF

■ 产品描述 MB85RC64V 是一种被称为 FRAM （铁电随机存取存储器）的存储芯片，配置为 8,192 × 8 位，通过铁电 工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。 与 SRAM 不同， MB85RC64V 无需备用电池即可保持数据。 MB85RC64V 非易失性存储单元读 / 写的耐久性进一步提升，至少为 1012 （一万亿）次，明显超过 FLASH 和 E2PROM。 与 FLASH 或 E2PROM 不同， MB85RC64V 在写入存储器后无需轮询序列。 

■ 特点 ? 位配置 ：8,192 × 8 位

 ? 二线串行接口 ：通过两个端口实现完全可控：串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。

 ? 工作频率 ：1 MHz （最大）

 ? 读 / 写耐久性 ：1012 （一万亿）次 / 字节 

? 数据保持 ：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

 ? 工作电源电压 ：3.0 V 到 5.5 V 

低功耗 ：工作电流 90 μA （1 MHz 下的典型值） 待机电流 5 μA （典型值）

 ? 工作环境温度范围 ：? 40 °C 到 + 85 °C 

? 封装 ：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02) 符合 RoHS