检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 功率循环试验（PC） IGBT模块 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温门试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度150℃； 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度150℃ 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度80℃ 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温储存试验（HTSL） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度150℃； 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温储存试验（LTSL） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度80℃ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温高湿试验（THB） MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度180℃ 湿度范围：10%~98% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高低温循环试验（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围：-80℃~220℃ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 稳态功率试验（SSOL） MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高加速应力试验（HAST） MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *无偏压的高加速应力试验（UHAST） MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温蒸煮试验（PCT） MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度100% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 预处理试验（Pre-con） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 潮气敏感度等级试验（MSL） 所有SMD类型器件