检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 功率循环试验(PC) IGBT模块 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高温门试验(HTGB) MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度150℃; 电压2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高温工作寿命试验(HTOL) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度150℃ 电压2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 低温工作寿命试验(LTOL) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度80℃ 电压2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高温储存试验(HTSL) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度150℃; 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 低温储存试验(LTSL) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度80℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高温高湿试验(THB) MOSFET、IGBODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度180℃ 湿度范围:10%~98% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高低温循环试验(TC) MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围:-80℃~220℃ 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC) MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V,10A 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 稳态功率试验(SSOL) MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V,10A 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高加速应力试验(HAST) MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 *无偏压的高加速应力试验(UHAST) MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高温蒸煮试验(PCT) MOSFEODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度100% 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 预处理试验(Pre-con) 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 潮气敏感度等级试验(MSL) 所有SMD类型器件