评判标准编辑

1：硅片表面光滑洁净。

2：TV：220±20μm。

3：几何尺寸：

边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；

边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；

边长150±0.5mm

、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。

同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。

垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3。

一级品：

1：表面有少许污渍、轻微线痕。

2：220±20μm ≤TV≤220±30μm。

3：几何尺寸：

边长125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；

边长103±0.5mm、对角135±0.5mm；

边长150±0.5mm

、156±0.5mm、对角203±0.5mm、200±0.5mm。

同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。

垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。

据日本稀有金属杂志2005年11月24日报道，多晶硅片，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年，2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，多晶硅片厂家，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25%，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。

低成本多晶硅太阳电池光致衰减的研究

研究了多晶硅太阳电池的光致衰减现象，电池所用材料为国产的物理冶金法提纯的低成本多晶硅.实验发现，国产的低成本多晶硅材料制备的太阳电池在光照初期有一定的震荡式衰减，但衰减幅度小于10%，当经过长时间9 h的光照后，效率衰减变得不明显.初步认为造成此现象的可能机理是BOi缺陷对和FeiBs对分解-复合模型两种机制共同起作用，但以FeiBs对的分解-复合为主要机制。

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